Тема 7. КОНСТРУКТИВНІ ОСОБЛИВОСТІ ДІОДІВ.
1. Тунельний діод. 2. Способи виготовлення p-n переходів.
3. Тепловий опір напівпровідникових приладів різних конструкцій.
Навчальний сайт для студентів
Четвер, 02.05.2024, 11:45
Вітаю Вас, Гість
Меню сайту
- ТЕМА 1 - ЕЛЕКТРОСТАТИЧНЕ ПОЛЕ
- ТЕМА 2 - ПРОВІДНИКИ В ЕЛЕКТРИЧНОМУ ПОЛІ
- ТЕМА 3 - ДІЕЛЕКТРИКИ В ЕЛЕКТРИЧНОМУ ПОЛІ
- ТЕМА 4 - ПОСТIЙНИЙ ЕЛЕКТРИЧНИЙ СТРУМ
- Тема 6 - Магнітне поле
- Тема 7 - Магнетики
- Тема 8 - ЕЛЕКТРОМАГНІТНА ІНДУКЦІЯ
- Тема 9 - Змінний струм
Наше опитування
Статистика
Онлайн всього: 1
Гостей: 1
Користувачів: 0
Відвідування
Пошук
Календар
| « Травень 2024 » | ||||||
| Пн | Вт | Ср | Чт | Пт | Сб | Нд |
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | ||
| 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 |
| 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 |
| 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 |
| 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | ||
Друзі сайту
2. Способи виготовлення p-n переходів.
3. Тепловий опір напівпровідникових приладів різних конструкцій.
Copyright MyCorp © 2024